ASELSAN ile Bilkent Üniversitesi'nden Önemli İşbirliği

7.3.2014

​Savunma Sanayii Müsteşarı Murad Bayar, ilk olarak savunma teknolojileri alanında kullanılmaya başlanan Galyum Nitrat (GaN) maddesinin Türkiye'deki geliştirme çalışmalarına ilişkin, ''Radar alanında en kritik teknolojiyi kazanıyoruz'' dedi. 

ASELSAN ile Bilkent Üniversitesi arasında ''Galyum Nitrat (GaN) Transistör ve Tümleşik Devre Yapımı İçin İleri Teknoloji Yatırımı'' konusunda mutabakat muhtırası törenle imzalandı. 

Törende konuşan Savunma Sanayii Müsteşarı Bayar, ASELSAN ile birlikte sistem mühendisliğinin tasarım ve modüle kadar yol aldığını, şimdi de malzeme üretimine geçileceğini söyledi.  Bayar, bu teknolojinin radar üretiminde kullanılacağını belirterek, ''Radar alanında en kritik teknolojiyi kazanıyoruz'' dedi. 

ASELSAN Genel Müdürü Cengiz Ergeneman da radar gibi gelişmiş sistemleri Türkiye'nin üretmesi, başka ülkelere bağlı kalınmaması için bu ürünlerin geliştirilmesi gerektiğini ifade etti. 

Bilkent Üniversitesi Rektörü Prof. Dr. Abdullah Atalar da bu projenin, üniversitelere araştırma için verilen kaynakların gerçek hayatta faydalı işlere dönüştüğünün güzel bir örneği olacağını kaydetti.

ASELSAN Radar Elektronik Harp ve İstihbarat Sistemleri (REHİS) Grubu Tasarım Teknolojileri Direktörü Oğuz Şener de bu ürünün dünyada 4 ülkede üretildiğini, ancak satışının sınırlı ve izinlere tabi olduğunu belirtti.

Türkiye'de GaN üretim altyapısı kurma ve geliştirme sürecinin kısa sürede tamamlanabileceğine dikkati çeken Şener, yeni nesil milli radarlarda kullanılacak ilk GaN transistörlerinin üretiminin 2016 yılına hedeflendiğini bildirdi. 

Bilkent Üniversitesi Nanoteknoloji Araştırma Merkezi (NANOTAM) Direktörü Prof. Dr. Ekmel Özbay da 10 yıl süren çalışmalar sonucunda Türkiye'de GaN teknolojisinin geliştirildiğini belirterek, artık bu teknolojinin ticari olarak kullanılacak aşamaya geldiğini vurguladı. Özbay, bu teknoloji ile yüksek güçlü GaN nanotransistörler ve nanofabrikasyon malzeme üretileceğini söyledi.

 -GaN teknolojisi nedir-

Galyum Nitrat (GaN) üstün fiziksel özellikleri nedeni ile son yıllarda tüm dünyada, üstünde yoğun çalışmalar yapılan yeni bir yarı iletken malzemedir. Millî olarak geliştirilen GaN teknolojisinin hem sivil hem askerî birçok alanda kullanılması hedeflenmektedir.

Bu konudaki yatırımlarla; radar, uydu aktarıcı, karıştırıcı ve yeni nesil cep telefonu sistemlerinde uygulama alanı bulması beklenen ve savunma sanayi alanında sağladığı kritik avantajlar nedeniyle ihracat izni sorunları yaşanan GaN teknolojisine dayalı ürünlerin, milli imkanlarla üretilmesi sağlanmış olacaktır. 

Üstün özelliklere sahip GaN teknolojisi, özellikle yüksek güçte çalışan hızlı transistörlerin yapımına imkan vermektedir. Bu sayede, özellikle radarların önemli bir parçası olan güç transistörleri, yarı büyüklükte ve beş kat daha güçlü olmaktadır. ​

Çok daha verimli ve yüksek menzilli radarların geliştirilmesi için gerekli olan GaN teknolojisi için çalışmalar, ülkemizde 2002 yılında başlamıştır. Savunma Sanayii Müsteşarlığı tarafından başlatılan ve ASELSAN ile Bilkent Üniversitesinin yer aldığı ilk projede, Bilkent Nanoteknoloji Araştırma Merkezi (NANOTAM) bünyesinde alt yapı kurulmuştur. Bu projeyi takiben, 2006 yılından itibaren ASELSAN ve Bilkent Üniversitesi arasında, örnek gösterilecek bir üniversite–sanayi işbirliği çerçevesinde, ASELSAN'ın ürüne yönelik gereksinimleri doğrultusunda araştırma projeleri başarıyla yürütülmektedir.​